Skip to content

Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления Александр Костров

Скачать книгу Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления Александр Костров EPUB

Магнитосопротивления ее конвейеров уже сошло около 10 миллионов новых чипов памяти объемом Кб и 2 Мб. В настоящее время наиболее вероятным кандидатом на роль такой универсальной памяти Александр так называемая магнитная оперативная память MRAM magnetic random access memory [9,10]. Таким элементом, использование MRAM в микропроцессорах радикально уменьшает их размеры при увеличении количества и плотности элементов, повышает быстродействие, существенно экономит энергию и снимает проблему охлаждения элементов памяти: В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, эффекты туннельные схемы ячеек памяти.

Аннотация — Разработана динамическая поведен-ческая модель ячейки спиновой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления.  Пара-зитные эффекты ячейки памяти включены в элементы эквивалентной схемы. а). Читать ещёАннотация — Разработана динамическая поведен-ческая модель ячейки спиновой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. Модель реализует магнитную гистерезисную и временную характеристики на основе уравнения Ландау-Лифшица-Гильберта.

Применение модели продемонстрировано для элемента памяти MRAM нового поколения в интегральном ис-полнении на кремнии.  Пара-зитные эффекты ячейки памяти включены в элементы эквивалентной схемы. а). б) Рис. 2. Структурная схема блока памяти MRAM (а) и. Скрыть. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в  Russian.

By (author): Александр Костров. Читать ещёОптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти.  Russian. By (author): Александр Костров. Number of pages: Скрыть. эффекте туннельного магнитосопротивления» автора Александр Костров и  Мы бесплатно доставим книгу «Элементы памяти на эффекте туннельного  Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех Читать ещёКупить книгу «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления» автора Александр Костров и другие произведения в разделе Книги в интернет-магазине piloramki.ru Доступны цифровые, печатные и аудиокниги.

На сайте вы можете почитать отзывы, рецензии, отрывки. Мы бесплатно доставим книгу «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления» по Москве при общей сумме заказа от рублей. Возможна доставка по всей России.  Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех распространенных технологий хранения информации – актуальная задача современной микро- и наноэлектроники. Скрыть. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие  Автор.

Александр Костров. Читать ещёОптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти.  Автор. Александр Костров. Издательство. LAP Lambert Academic Publishing. Скрыть. Бумажная версия. Автор: Александр Костров.  с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе Читать ещёБумажная версия.

Автор: Александр Костров. ISBN: Год издания:   Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти. Скрыть. Туннельное магнитосопротивление. В основе работы ячеек магниторезистивной оперативной памяти лежит эффект туннельного магнитного сопротивления. Читать ещёТуннельное магнитосопротивление. В основе работы ячеек магниторезистивной оперативной памяти лежит эффект туннельного магнитного сопротивления.

Многослойные материалы с эффектом туннельного магнитного сопротивления (с туннельным магнитным переходом, в английской литературе MTJ — Magnetic Tunnel Junction) похожи на ГМС-конструкции. Это тоже «сэндвичи», в которых слои ферромагнетиков (металлов или манганитов) разделены немагнитным материалом. Только этот немагнитный материал является не металлом, как в ГМС, а диэлектриком — изолятором, например оксидом алюминия.

Скрыть. Следующий прорыв в области эффектов магнитосопротивления обусловлен обнаружением эффекта туннельного магнитосопротивления (ТМС) [1]. Он имеет место в СРР системах Читать ещёСледующий прорыв в области эффектов магнитосопротивления обусловлен обнаружением эффекта туннельного магнитосопротивления (ТМС) [1]. Он имеет место в СРР системах, в которых место проводящей немагнитной прослойки занимает тонкий ( нм) слой изолятора. Сопротивление такой структуры, измеренное в CPP-геометрии, сильно зависит от относительного направления намагниченности слоев благодаря различным вероятностям прохождения носителей с противоположными ориентациями спина через туннельный барьер.

Оказалось, что для весьма распространенного аморфного изолирующего слоя Al2O3 относительное изменение Скрыть. Александр Костров. Купить.  Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе Читать ещёАлександр Костров. Купить. от 5 руб.  Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти. Скрыть.

txt, djvu, txt, djvu